Wp Header Logo 2911.png
هواوی در سایه تحریم‌های شدید آمریکا تراشه ۳ نانومتری توسعه می‌دهد!

در شرایط ادامه محدودیت‌های تجاری از سوی آمریکا، شرکت هواوی فرآیند تحقیق و توسعه تراشه‌های ۳ نانومتری را آغاز کرده است؛ اقدامی که پس از موفقیت این شرکت در تولید تراشه‌های ۵ نانومتری انجام می‌شود و می‌تواند نقش هواوی را در حوزه فناوری نیمه‌رسانا تقویت کند.

شرکت هواوی علی‌رغم محدودیت‌ها و تحریم‌های اعمال‌شده از سوی دولت آمریکا، فعالیت‌های تحقیق و توسعه خود را در حوزه تولید تراشه‌های سه‌نانومتری افزایش داده است. این حرکت پس از آن انجام شد که هواوی توانست با همکاری شرکت SMIC، اولین تراشه پنج‌نانومتری خود با نام Kirin X۹۰ را تولید و روانه بازار کند؛ موفقیتی که گمانه‌زنی‌هایی در خصوص برنامه‌های آتی این شرکت برای توسعه فناوری‌های جدیدتر، نظیر لیتوگرافی سه‌نانومتری، افزایش داده است.

بر اساس گزارش منتشرشده توسط روزنامه اقتصادی تایوان، هواوی اکنون تمرکز خود را روی فناوری Gate-All-Around (GAA) قرار داده است؛ معماری پیشرفته‌ای که امکان کوچکتر شدن اندازه ترانزیستورها و افزایش راندمان تراشه را فراهم می‌کند. در حال حاضر، سامسونگ تنها شرکتی است که توانسته این فناوری را در مقیاس گسترده عملیاتی کند، اما هواوی تلاش دارد با عبور از محدودیت‌های موجود، این فناوری را برای تولید تراشه‌های سه‌نانومتری خود بومی‌سازی کند.

در پروژه جدید هواوی برای ساخت این نوع تراشه، به جای سیلیکون سنتی، از مواد دوبعدی برای ساخت کانال‌های ترانزیستوری پیشنهاد شده است. کارشناسان حوزه نیمه‌رسانا بر این باورند که استفاده از چنین موادی می‌تواند باعث بهبود عملکرد، کاهش نشتی جریان و کاهش مصرف انرژی در تراشه‌ها شود که به تولید محصولات الکترونیکی با کیفیت بالاتر و مصرف انرژی پایین‌تر منجر خواهد شد.

علاوه بر این، هواوی طراحی و توسعه تراشه‌ای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی را نیز در دستور کار قرار داده است. این فناوری که هنوز در صنعت نیمه‌رسانا به صورت تجاری رایج نشده، امکان جایگزینی ترانزیستورها و ارتباطات سیلیکونی با نانولوله‌های کربنی را فراهم می‌کند و می‌تواند محدودیت‌های متریال سیلیکون در مقیاس‌های کوچک‌تر را برطرف نماید. به باور منابع صنعتی، چنین ابتکاری می‌تواند مسیر توسعه تراشه‌های بسیار کوچک با راندمان بالاتر را هموار کند.

با وجود آن‌که پروژه‌های یادشده هنوز در مراحل ابتدایی قرار دارند و تا پیش از این نیز برخی طرح‌های مشابه توسط هواوی مطرح شده و کنار گذاشته شده بودند، موفقیت اخیر شرکت در تولید تراشه پنج‌نانومتری نشان‌دهنده پتانسیل موجود برای استمرار پیشرفت در زمینه فناوری سه‌نانومتری است. این موضوع امیدواری‌هایی را در میان فعالان صنعت نیمه‌رسانا نسبت به توانایی هواوی در ادامه مسیر توسعه به وجود آورده است.

به گفته منابع نزدیک به فرایند تحقیق و توسعه هواوی، برنامه فعلی این شرکت برای توسعه تراشه‌های سه‌نانومتری فاقد زمان‌بندی مشخص جهت تولید انبوه یا عرضه به بازار است. هواوی تمرکز خود را روی تکمیل مراحل ابتدایی تحقیقاتی و آزمایش نمونه‌های اولیه قرار داده است و اطلاعات بیشتری در خصوص مراحل بعدی در دسترس نیست.

تحریم‌های ایالات متحده تأثیر قابل توجهی بر زنجیره تأمین هواوی در سال‌های اخیر داشته است. این شرکت در پی اعمال این محدودیت‌ها، همکاری مستقیم با بسیاری از تأمین‌کنندگان تجهیزات پیشرفته تولید تراشه را از دست داد و راهکارهای جایگزین داخلی و مشارکت با شرکت‌هایی نظیر SMIC را دنبال کرده است. ادامه این روند در حوزه فناوری‌های نوینی مانند لیتوگرافی سه‌نانومتری نیز به عنوان نشانه‌ای از تلاش هواوی برای خودکفایی و کاهش وابستگی به بازارهای خارجی ارزیابی می‌شود.

برخی تحلیلگران معتقدند اگر هواوی بتواند پروژه‌های تحقیقاتی خود در زمینه تراشه سه‌نانومتری را با موفقیت به سرانجام برساند، تحولی تازه در رقابت شرکت‌های آسیایی با غول‌های فناوری آمریکایی شکل خواهد گرفت و بخشی از فشارهای ناشی از تحریم‌ها بر این شرکت تا حدودی کاهش می‌یابد. با این حال، روند توسعه فناوری‌های پیشرفته نیمه‌رسانا بسیار پیچیده و نیازمند سرمایه‌گذاری و زیرساخت‌های کلان است و هنوز دستیابی هواوی به تولید تجاری این تراشه‌ها قطعی نیست.

در مجموع، آغاز پروژه‌ توسعه تراشه‌های سه‌نانومتری در هواوی در سایه تحریم‌های تداوم‌یافته آمریکا، گام جدیدی در مسیر تلاش‌های این شرکت برای حضور پررنگ‌تر در رقابت جهانی صنعت نیمه‌رسانا محسوب می‌شود و تحولات آتی در این زمینه می‌تواند تأثیر مهمی بر موقعیت فناوری این شرکت و بازار جهانی تراشه داشته باشد.

source

shakotardid.ir

توسط shakotardid.ir

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *